PL Mapping 光致發光掃描系統

應用領域：

常規的光致發光測量；
III-V族化合物半導體材料光致發光測量；
熒光性；
LD, LED外延晶片PL掃描測量；

儀器特點：

高品質及中等價位的PL掃描系統(高性價比)；
波長范圍寬廣(UV-VIS-NIR, 350nm to 2.2um)；
噪聲低，高PL信號探測；
設計緊湊，易于調諧；
各種激發激光源可選；
易于發現峰及FWHM；

儀器規格：

1 、光致發光樣品腔
10x M-Plan鏡頭顏色修正，波長范圍：350-1800nm
工作距離：30.5mm, 20mm FL, z軸可調
系統空間分辨率：10微米(1微米選配)
鏡子帶孔洞作為激光束及PL信號的通道
Iris光圈用于激光束的調整
可變ND過濾器用于激光能量的控制(99% to 2%)
10毫米孔洞PL信號校準鏡頭
馬達控制的XY臺，大速度30毫米/秒，1微米掃描分辨率
外延晶片樣品盤
包括高分辨控制器和電纜

2、IG512近紅外光譜儀，900-1700nm, 512像素, InGaAs陣列
25um x 500um像素尺寸，14bits, 2.5MHz數字轉換器, f/4, 40mm FL
探測范圍：900nm全譜，300gr/mm, 1um blaze grating
包括SMA905, 400um多模光纖，1米長

3、EPP2000-VIS(350-1150nm)用于紫外-可見光，衍射光柵光譜儀
f/4, symX-Czerny-turner類型
分辨率：1.6nm (50um狹縫，@600gr/mm grating)
包括2048像素CCD探測器，12bit數字轉換器
600gr/mm grating
接口：USB-2.0
SMA905光纖光學輸入，0.22NA，400um多模光纖，1米長

4、激光器
LDM830100CWA 830nm Solid State Laser
FKL532.50.CWA.L 532nm Solid State Laser
IK3501R-G, 325nm HeCd Laser
Other lasers wavelength(s) (e.g. 266nm, 488nm, 405nm, 514nm, 785nm)